Комплектующие, запчасти и расходники для серверов, компьютеров и оргтехники

Дмитровское шоссе дом 169 корп.8

Время работы: Пн-Пт 10-18

8 (495) 740-88-74
8 (925) 740-88-74
8 (925) 006-91-05

email: megagertz@bk.ru

Транзисторы

Сортировать по популярности: по убыванию
12 На страницу
Infineon TT142N12KOF Однофазный тиристорный модуль 1200V
13 929 P
Фаз 1 Кол-во диодов 0 Кол-во тиристоров 2 I D (макс.) ,А 142 V F (макс.) ,В 1.56 J = макс." style="margin: 0px; padding:...
По России: бесплатно до ТК; по Москве: 450р
+ −
Купить в один клик
Sanyo 2SD1062 (D1062) Транзистор биполярный низкочастотный NPN
630 P
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V...
По России: бесплатно до ТК; по Москве: 450р
+ −
Купить в один клик
Mitsubishi RD12MVP1 Транзистор полевой силовой силиконовый MOSFET
1 165 P
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно...
По России: бесплатно до ТК; по Москве: 450р
+ −
Купить в один клик
Renesas RQA0009SXTL-E Транзистор силиконовый N-channel MOSFET
546 P
Наименование прибора: RQA0009SXTL-E Маркировка: SX Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 15 W Предельно...
По России: бесплатно до ТК; по Москве: 450р
+ −
Купить в один клик
NEC HQ1A4A Транзистор силиконовый PNP SOT-89
505 P
Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 2 W...
По России: бесплатно до ТК; по Москве: 450р
+ −
Купить в один клик
Toshiba RN6003 Транзистор силиконовый NPN SOT-89 SC-62 с резистором смещения
488 P
Напряжение коллектор-база V CBO : 30V Напряжение коллектор-эмиттер V CES : 30V Напряжение эмиттер-база V EBO : 5V Ток коллектора I C : 2A...
По России: бесплатно до ТК; по Москве: 450р
+ −
Купить в один клик
Ampleon BLF888A Транзистор высокочастотный РЧ МОП (UHF power LDMOS)
14 430 P
Тип транзистора: LDMOS Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 600 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Максимально...
По России: бесплатно до ТК; по Москве: 450р
+ −
Купить в один клик
Ixys IXGN60N60 Биполярный транзистор IGBT 600V 100A
1 970 P
Вид монтажа: SMD/SMT Конфигурация: Single Dual Emitter Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.7...
По России: бесплатно до ТК; по Москве: 450р
+ −
Купить в один клик
Mitsubishi RD07MVS2 Транзистор полевой силовой силиконовый N-канал MOSFET
505 P
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 Предельно...
По России: бесплатно до ТК; по Москве: 450р
+ −
Купить в один клик
Renesas RJH3044 Транзистор силиконовый IGBT MOSFET N-channel
722 P
Collector to emitter voltage VCES: 360 V Gate to emitter voltage VGES: ±30 V Collector current IC: 30 A Collector peak current ic(peak): 200 A...
По России: бесплатно до ТК; по Москве: 450р
+ −
Купить в один клик
Motorola BUS47AP Транзистор биполярный низкочастотный NPN
1 181 P
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 107 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb):...
По России: бесплатно до ТК; по Москве: 450р
+ −
Купить в один клик
Powerex/Mitsubishi CM600HA-28H Транзистор силовой биполярный IGBT
3 487 P
По России: бесплатно до ТК; по Москве: 450р
+ −
Купить в один клик
 Предыдущая
1 2 3 4 5
Вперед